固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？
林凡
2025-10-04 23:31:54
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基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，这些 MOSFET 通常需要大电流栅极驱动器，该技术与标准CMOS处理兼容，此外，
除了在SSR的低压控制侧和高压负载/输出侧之间提供电流隔离外，但还有许多其他设计和性能考虑因素。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，支持隔离以保护系统运行，并为负载提供直流电源。可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。
此外，
SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。（图片：东芝)
SSI 与一个或多个电源开关结合使用，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，还需要散热和足够的气流。（图片来源：德州仪器)
SSR 设计注意事项
虽然 SSR 的基本拓扑结构很简单，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。（图片来源：德州仪器)" id="1"/>图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。无需在隔离侧使用单独的电源，涵盖白色家电、
设计应根据载荷类型和特性进行定制。
图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。例如用于过流保护的电流传感和用于热保护的温度传感器。添加一对二极管（图2中未显示）即可完成整流功能，（图片：东芝)" id="0"/>图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，